[新闻稿] 英特尔与美光合作推出业内最小巧、最先进之20nm

浏览量333 点赞373 2020-05-22

[新闻稿] 英特尔与美光合作推出业内最小巧、最先进之20nm[新闻稿] 英特尔与美光合作推出业内最小巧、最先进之20nm

英特尔与美光合作推出业内最小巧、最先进之20nm制程技术
进一步加强在NAND快闪记忆体技术上的领先优势
全新20nm制程8GB快闪记忆体 容量极大、体积极小
适合平板电脑、智能手机、固态硬碟及其他消费类和运算设备
内容摘要:
l 英特尔公司与美光科技公司合作推出业内最小巧、最先进的20nm NAND快闪记忆体制程技术。
l 英特尔与美光合营企业IM Flash Technologies藉着20nm制程技术,并把整个晶圆厂网络的制程技术迅速升级,在业内领先。
l 容量达8GB的MLC NAND快闪记忆体的体积仅为118平方毫米,为智能手机、平板电脑、固态硬碟等设备提供高储存容量。

加利福尼亚州圣克拉拉市和爱达荷州博伊西市,二零一一年四月十五日—— 英特尔公司和美光科技公司今天针对NAND快闪记忆体製造环节,推出了一项更为精密的全新20nm制程技术。该项技术将用于生产容量达8GB (gigabyte) 的多层单元(MLC)NAND快闪记忆体,为智能手机、平板电脑和运算解决方案,如﹕固态硬碟(SSD),提供容量大、体积小的储存产品选择,用作储存音乐、视频、书籍及其他资料。赞助商连结
随着数据储存量持续增长,加上平板电脑和智能手机的功能不断增强,对于NAND快闪记忆体技术产生崭新需求,尤以更小体积结合更高容量的需求最为强烈。英特尔与美光合作推出的全新20nm制程8GB NAND快闪记忆体,体积仅为118平方毫米,与两家公司採用现有25nm NAND制程的8GB NAND快闪记忆体相比,可节省三至四成的主板空间(取决于封装类型)。这种快闪记忆体在布局上节省的空间,可让平板电脑和智能手机生产商将额外空间用于最终产品的改进上,例如採用较大的电池、扩大屏幕尺寸或增加晶片数量以支援新功能,从而实现更高的系统级效率。

全新的20nm制程8GB设备由英特尔与美光的NAND快闪记忆体合资企业IM Flash Technologies(IMFT)生产。它是NAND制程和技术设计上的一大突破,进一步巩固两家公司在光刻技术方面的领先地位。由于该项全新制程技术能较现有技术协助晶圆厂增加GB容量约50%,因此将NAND光刻技术升级为该项全新技术,可说是提高晶圆厂产量的最经济高效方法。与此同时,全新20nm NAND制程技术还保持与上一代25nm NAND制程技术相若的性能和耐用程度。

美光NAND解决方案事业部副总裁Glen Hawk表示:「与客户紧密协作是美光的核心价值观之一,通过这些努力,我们不断在NAND快闪记忆体的领域,发掘出具有竞争力的最终产品设计机遇。20nm NAND制程技术是我们创新和成长的延续,可让美光为客户提供更具性价比的增值固态储存解决方案。」

英特尔副总裁兼NVM解决方案事业部总经理Tom Rampone表示:「英特尔的目标是支援用户快速经济地浏览全球资讯。处于行业领先地位的NAND制程技术,可让英特尔为客户提供一代又一代具备最高品质,而且最经济高效的解决方案。随着在业界持续引领制程技术的发展,以及迅速将整个晶圆厂网络的光刻技术升级至更先进、更精密的技术,英特尔与美光的合资企业堪称製造业的一个典範。」

20nm 制程8GB快闪记忆体目前尚处于样品阶段,可望于今年下半年正式投产。英特尔和美光还希望届时推出一款16GB快闪记忆体的样品,可在体积较邮票更小的单一固态储存解决方案中,提供高达128GB的储存容量。

关于美光
美光科技公司是全球领先的高级半导体解决方案供应商。美光利用其覆盖全球的营运网络产销全系列的DRAM、NAND型和NOR型快闪记忆体,以及其他创新储存技术、封装解决方案和半导体系统,适用于各种尖端的运算、消费、网络、嵌入式和流动产品。美光普通股在美国纳斯达克(NASDAQ)上市,代码为 MU。如欲了解更多有关美光科技公司的资讯,请浏览www.micron.com。

关于英特尔
英特尔是运算创新领域的全球领导者,致力研发关键技术,为全球的运算设备奠定基础。有关英特尔的其他资讯,请浏览该公司的新闻发布室newsroom.intel.com及 http://blogs.intel.com/blogs.intel.com。

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